Intel treibt den Einsatz der nächsten Lithografie-Generation voran. Als bislang einziger Halbleiterhersteller nutzt das Unternehmen die besonders leistungsfähigen High-NA-EUV-Anlagen von ASML bereits für kommerziell gefertigte Prozessoren. Inzwischen wurden mit der Technik mehr als eine Million Wafer bearbeitet.
Die Zahl umfasst nach Angaben des Unternehmens sämtliche Entwicklungsphasen, von der Abnahme und Zertifizierung der Maschinen über experimentelle Testreihen bis zur Produktion marktreifer Chips. Bekannt gegeben wurde der Meilenstein anlässlich der Fachkonferenz „SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography“.
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Zwei Produktionswege für Panther Lake
Zu den damit hergestellten Produkten gehören auch Varianten der Mobilprozessoren Core Ultra 300, die unter dem Codenamen Panther Lake entwickelt wurden. Die besonders komplexen Belichtungsanlagen stammen vom niederländischen Maschinenbauer ASML. Dessen aktuelles System Twinscan Exe:5200B kostet mindestens 350 Millionen Euro und damit ungefähr doppelt so viel wie eine konventionelle EUV-Anlage mit niedrigerer numerischer Apertur.
Intel hat den Compute-Chiplet der Panther-Lake-Prozessoren für zwei unterschiedliche Fertigungsvarianten ausgelegt. Der vermutlich größere Teil wird mit herkömmlicher Low-NA-EUV-Technik produziert. Um die feinsten Strukturen abzubilden, sind dabei mehrere Belichtungsschritte notwendig.
Ein weiterer Teil entsteht im US-Bundesstaat Oregon mithilfe der neuen High-NA-Maschinen. Aufgrund ihrer höheren Auflösung kann Intel bei bestimmten Ebenen auf solche Mehrfachbelichtungen verzichten. Beide Varianten zählen zur Fertigungsgeneration Intel 18A.
Nach Angaben des Konzerns erreichen die mit High-NA EUV produzierten Chips mindestens die gleichen elektrischen Eigenschaften wie ihre konventionell gefertigten Pendants. In einzelnen Bereichen könnten sie sogar bessere Werte liefern. Da auf einem Wafer mehrere Hundert Compute-Chiplets Platz finden, dürfte Intel mithilfe der neuen Anlagen bereits mehrere Millionen einzelne Chips hergestellt haben.
Höhere Auflösung durch größere Optiken
Bei High-NA EUV steigt die numerische Apertur von 0,33 auf 0,55. Größere optische Komponenten können dadurch mehr Licht aus der Plasmaquelle aufnehmen. Zusammen mit einem steileren Belichtungswinkel verbessert sich die erreichbare Auflösung von 13,5 auf rund 9 Nanometer.
Diese Werte dürfen nicht mit Prozessbezeichnungen wie „2 Nanometer“ verwechselt werden. Solche Namen beschreiben heute keine konkrete Strukturgröße mehr, sondern dienen vor allem dazu, verschiedene Fertigungsgenerationen voneinander abzugrenzen.
Technischer Fortschritt mit erheblichem Aufwand
Die höhere Auflösung bringt jedoch neue Herausforderungen mit sich. High-NA-EUV-Anlagen benötigen viel Platz, sind extrem komplex und stellen hohe Anforderungen an sämtliche Produktionsschritte. Auch das maximal belichtbare Feld fällt kleiner aus als bei bisherigen Systemen.
Eine Schlüsselrolle spielt dabei eine anamorphe Optik. Sie verkleinert die auf den Wafer projizierte Chipstruktur in einer Richtung stärker als in der anderen. Diese asymmetrische Abbildung ist wegen des steileren Lichtwinkels notwendig: Ohne sie würden sich einfallende und reflektierte Lichtkegel überschneiden und eine präzise Übertragung der Schaltkreismuster verhindern.
Während Intel die kostspielige Technik bereits in die Fertigung integriert, arbeitet die Branche parallel an größeren Masken und weiteren Anpassungen der Produktionsprozesse. Ob sich High-NA EUV flächendeckend durchsetzt, wird daher nicht allein von der erreichbaren Auflösung abhängen. Entscheidend sind ebenso Ausbeute, Produktionsgeschwindigkeit und die Frage, ob sich die enormen Investitionen wirtschaftlich rechnen.
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